| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
Предложен и экспериментально подтвержден новый механизм, позволяющий менять проводимость InхGa1-хAs нитевидных нанокристаллов (ННК) на несколько порядков с помощью механической деформации. В рассматриваемых III-As ННК при х 0.85 проводимость сильно ограничена из-за фиксации уровня Ферми на поверхности атомами избыточного мышьяка и формирования приповерхностного обедненного слоя. При деформации смещение края зоны проводимости до уровня Ферми и ниже должно вызывать сильный рост проводимости ННК вследствие образования поверхностного проводящего канала. Предсказанный эффект наблюдается особенно ярко на In0.85Ga0.15As ННК, проводимость которых вырастает на три порядка при механической деформации ~ 4%. Подобное увеличение при данных уровнях деформации является рекордным, что позволит разработать сверхчувствительные тензорезисторы и сенсоры на основе III-As ННК.
Иллюстрации
Рис. 1. Слева — схема измерений вольт-амперных кривых ННК с помощью проводящего зонда атомно-силового микроскопа. При этом деформация ННК осуществляется смещением зонда вдоль поверхности подложки. Справа — вольт-амперные кривые, измеренные для In0.85Ga0.15As ННК в отсутствие деформации, и при деформации 4%.
Публикации