Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs, полученные из двойных гетероструктур InAsSbP/InAs на подложках InAs c вырождением электронов в зоне проводимости, имеют красную границу фоточувствительности при 3.6 мкм и максимум чувствительности на длине волны 3.4 мкм (300К) — в области максимума поглощения углеводородов. В отличие от аналогов они имеют крайне малый уровень низкочастотного шума, например, S=10^-25A² см²/Гц (для f=10 Гц и фототока
I=10^-5A), соответственно, высокие значения обнаружительной способности, что позволяет создавать фотометрическую аппаратуру с высоким отношением сигнал/шум.

Фотодиоды могут применяться в низкотемпературных пирометрах, газоанализаторах углеводородов, например, анализаторов метана в шахтах, паров С₂Н₅ОН в выдохе человека, медицинских и научных исследованиях.

Разработка готова к практическому применению, поскольку целый ряд организаций в России, например, Институт Технологий г. Бийска, уже провели работы по разработке анализаторов с использованием гетерофотодиодов на основе InAs. В настоящее время начинается финансирование международного проекта El Peacetolero для разработки анализаторов твердых тел с использованием упомянутых фотодиодов для применения на атомных станциях.

В настоящее время ведется работа по получению российского патента на сенсор жидкостей и твердых тел, имеющий в своем составе разработанные фотодиоды, зарубежных патентов на разработку не имеется.

Публикации

1. N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev and M.A. Remennyi, Low frequency noise in reverse biased P-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes, Semicond. Sci. Technol.34 (2019) 015013 (5 pp).
2. N. Dyakonova, S.A. Karandashev, M.E. Levinshtein, B.A. Matveev and M.A. Remennyi, Room temperature low frequency noise in n + -InAs/n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP double heterostructure infrared photodiodes, October 2019, Semiconductor Science and Technology 34(10):105015