Выполнены теоретические исследования явления резонансного туннелирования в двумерных гетероструктурах: резонансном туннельном диоде и в системе из двух самосогласованных квантовых ям. Предложен и проанализирован эффективный способ управления формой вольтамперной характеристики и величиной пикового тока в таких структурах путем приложения поперечного магнитного поля в плоскости интерфейса. Метод обеспечивает высокую прецизионность управления параметрами туннельных гетероструктур.