| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
Впервые исследовано влияние высокотемпературного электронного и протонного облучения на характеристики силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Промышленные 4H-SiC интегральные диоды Шоттки (JBS) с блокирующим напряжением 1700 В облучались электронами с энергией 0,9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ при температурах от 20 до 500°С в диапазоне доз Φ от 1×1016 см-2 до 1,3×1017 см-2 (электроны) и от 7×1013 до 2×1014см-2 (протоны). Показано, что радиационная стойкость диодов при высокотемпературном («горячем») облучении значительно превышает стойкость диодов при стандартном низкотемпературном («холодном») облучении. При повышении температуры облучения от 23 до 500°С изменение сопротивления базы при той же дозе уменьшается на 5 порядков. Полученный результат подтверждает перспективность SiC для создания приборов высокотемпературной и радиационно-стойкой электроники.
Иллюстрации
Прямые ВАХдиодов после облучения электронами (0,9 МэВ) при трех температурах Ti. Вставка: зависимость удельного сопротивления базы от обратной температуры облучения Ti после облучения дозой Φ= 1,3 х 1017 см-2.
Прямые ВАХ диодов после облучения протонами 15 МэВ при трех различных температурах облучения Ti. Доза Φ = 1×1014 см-2.
Направление ПФНИ 1.3.2.10. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе 0040-2019-0014.
Публикации