Интенсивно исследуемые в последнее время атомарно тонкие пленки дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) рассматриваются как полупроводниковый аналог графена. Они обладают запрещенной зоной от 1 до 3 эВ, сильным поглощением света, большой энергией связи экситона (до 0,5 эВ) и т.д., что делает эти материалы идеальными для устройств нано- и оптоэлектроники нового поколения. Однако традиционная литография, предполагающая нанесение резиста и химическую обработку, плохо подходит для создания устройств на основе нанотонких пленок ДПМ из-за их чрезвычайной чувствительности к любым поверхностным адсорбатам. Мы показали, что данная проблема решается с помощью безрезистивной зондовой литография, осуществляемой методом локального анодного окисления (ЛАО). Наши исследования процесса ЛАО MoSe₂выявили два режима ЛАО. Изотропный режим окисления обеспечивает разрешение вплоть до 10 нм. Анизотропный режим приводит к послойному окислению нано областей, имеющих форму треугольников по направлению «зиг-заг» (см. Рисунок). По ориентации треугольников можно определить кристаллографические направления и тип упаковки кристалла.

Публикации

1. Borodin B. R., Benimetskiy F. A., Alekseev P. A. Study of local anodic oxidation regimes in MoSe₂ //Nanotechnology. 2021., Т. 32. , 15., С. 155304.