Созданы уникальные структуры с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, излучающие в ультрафиолетовом-С (УФС) диапазоне 238-265 нм, который наиболее эффективен для разработки оптических бактерицидных излучателей. С помощью электронно-лучевой накачки этих структур достигнута максимальная импульсная мощность 50 Вт, что существенно превышает лучшие результаты в мире в этом диапазоне. Впервые изготовлены солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур GaN/AlN с максимальной чувствительностью до 50 мА/Вт на длине волны 275 нм.

Для получения вышеописанных светоизлучающих и фотоприемных приборов, работающих в глубоком УФС диапазоне, развиты физические основы и технологии эпитаксиального роста полупроводниковых приборных гетероструктур GaN/AlN c монослойной толщиной (1МС=0.25нм) квантовых ям и барьерных слоев. Успешная реализация этих структур с атомным разрешением стала возможной благодаря уникальным возможностям запатентованного нами метода их формирования с помощью плазменно-актированной молекулярно-пучковой эпитаксии.

Публикации

1. V. Jmerik et al., Monolayer-Range Compositional Modulations in AlxGa1-xN(x = 0.6?0.75) Layers Grown Using Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me-Rich Conditions with an Off-Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux, Phys. Status Solidi A 2022, 219, 2100550.
2. В.Н. Жмерик, Д.В. Нечаев, А.Н. Семенов, Способ изготовления AlGaN гетероструктуры для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона, Патент РФ № 2781509 от 12.10.2022