| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
Продемонстрирован эффективный процесс изготовления датчиков магнитного поля на основе наночастиц 6H-SiC с вакансионными центрами кремния, совмещенных с зондами атомно-силового микроскопа. Измерение магнитного поля такими датчиками происходит с помощью метода оптически детектируемого магнитного резонанса и эффекта антипересечения глубоких уровней со спином 3/2. Наночастица 6H-SiC устанавливалась на острие кантилевера. Преимущество таких сенсоров по сравнению с промышленными аналогами заключается в отсутствии у наночастиц SiC собственного магнитного поля. Исключение необходимости в дополнительной радиочастотной накачке за счет использования эффекта антипересечения уровней и фотолюминесценция в ближней инфракрасной области открывает возможность регистрировать распределение магнитного поля в биологических средах.
Иллюстрации
Рисунок. (а) — АСМ-топография участка Si пластины с наночастицами 6H-SiC, облученными ионами гелия. (b) — Конфокальное изображение сигнала ФЛ того же участка (ФЛ на длине волны 900 нм, возбуждение 532 нм). (с) — Схематическое изображение процесса захвата одной наночастицы SiC с вакансионными центрами (VSi) острием коммерческого АСМ-зонда. (d) — Контрольные СЭМ-изображения модифицированного АСМ-зонда.
Работа выполнена в рамках гранта РФФИ № 20-52-76010.
Направление ПФНИ 1.3.2.12.
Публикации