• Год:2025
    Авторы:Андреев,ВМ; Евстропов,ВВ; Минтаиров,МА; Минтаиров,СА; Нахимович,МВ; Салий,РА; Шварц,МЗ; Калюжный,НА
    Подразделения:

    Проблема точной характеризации и правильной трактовки экспериментальных фотоэлектрических характеристик многопереходных (МП) солнечных элементов (СЭ) остается актуальной и требует новых эффективных решений. Это связано со значительно более сложной, в сравнении с однопереходной, структурой МП СЭ: кроме каскада фотоактивных оптически взаимодействующих друг с другом p-n переходов, такая структура включает гетеробарьеры различного типа и соединительные туннельные диоды, имеющие электрическое соединение встречной полярности.

    Экспериментальный метод характеризации каскада фотовольтаических p-n переходов, входящих в МП СЭ, представлен в цикле работ соавторов и завершен публикацией [1] в 2025 г. Метод основан на прямо пропорциональной зависимости напряжения на всех генерирующих p-n переходах от логарифма произведения интенсивностей их электролюминесценции. Он позволяет реально оценивать потенциал генерирующих полезную электрическую мощность p-n переходов и получать безрезистивные вольт-амперные характеристики (рис. 1) независимо от сложности структуры и степени влияния комплекса эффектов, присущих только МП СЭ, к которым относятся: 1) рассогласование по фотогенерированным токам субэлементов каскада; 2) эффект люминесцентной связи p-n переходов 3) эффект встречной фото-эдс, генерируемой как соединительными туннельными диодами, так и гетеробарьерами. Для описания эффектов введены понятные по физическому смыслу характеристические величины: коэффициент и добавочное напряжение, определяемые токовым рассогласованием; величина встречного фототока и фото-напряжения; результативность люминесцентной связи.

    Разработанный комплексный метод универсален и не привязан к конкретному типу устройства, количеству входящих в его состав «субэлементов» или спектральному составу преобразуемого излучения.

    Предложенный метод характеризации будет востребован у разработчиков конструкций новых высокоэффективных солнечных элементов для космических и наземных фотоэнергосистем.

    Иллюстрации

    Рис. 1. Пример применения разработанного экспериментального метода к двум МП СЭ. Совпадение ВАХ (А) и (В) говорит о том, что входящие в состав каскада фотовольтаические p-n переходы одинаковы и обладают равным фотоэлектрическим потенциалом, тогда как гетероструктура (В) имеет отличительные особенности в виде встроенного туннельного диода с большой встречной фото-эдс

    Публикации

    1. [1] Mintairov,MA; Evstropov,VV; Mintairov,SA; Nakhimovich,MV; Salii,RA; Shvarts,MZ; Kalyuzhnyy,NA, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, v.279, 2025, #113213