Понижение симметрии низкоразмерных гетероструктур по сравнению с объёмными полупроводниками приводит к анизотропии физических свойств этих систем. Нами предсказано, что такая анизотропия может проявляться в виде подавления одних механизмов спиновой релаксации другими. Для обнаружения эффекта был разработан специальный дизайн структуры, реализованный методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Эффект анизотропии времен спиновой релаксации обнаружен по зависимости ширины контура Ханле от ориентации магнитного поля в плоскости ямы. Предложен дизайн «оптимальной»структуры для создания приборов, использующих спиновые степени свободы, c максимально длинными временами спиновой релаксации.