Разработан оригинальный метод получения планарных периодических структур на основе чередующихся слоев a-SiO_x/a-Si:H, легированных ионами эрбия, который впервые обеспечил независимый контроль скорости осаждения a-SiO_x/a-Si:H слоев, концентрации ионов Er³⁺ и профиля их пространственного распределения по толщине структуры. Обнаружено, что частотный сдвиг края фотонной зоны в область спектрального положения излучательного перехода иона Er³⁺ позволяет более чем на порядок увеличить интенсивность спонтанной эмиссии ионов Er³⁺ за счет сильного изменения плотности оптических мод в планарных брэгговских отражателях. Реализовано увеличение более чем на два порядка интенсивности фотолюминесценции ионов Er³⁺, находящихся в активном слое планарного микрорезонатора, по сравнению с одиночной пленкой a-SiO_x(Er). Рекордное увеличение достигается в результате мультипликативного действия двух процессов —вывода излучения через резонансную моду и резонансного поглощения возбуждающего излучения в спектральной области собственных мод микрорезонаторной структуры.