В широкозонных полупроводниках во внешнем электрическом поле впервые реализовано резонансное усиление сигнала нестационарной фотоэдс в области высоких (> 100 кГц) частот фазовой модуляции при приложении знакопеременного электрического поля. Теоретически предсказан и экспериментально обнаружен эффект нелинейного взаимодействия низко- и высокочастотных собственных типов колебаний зарядов. На его основе предложена и реализована в кристаллах Bi₁₂SiO₂0, Bi₁₂TiO₂0 оригинальная методика прямых измерений дрейфовой подвижности носителей заряда.