| Web of Science® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 25425 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 326761 |
| на статью | 12,9 |
| Индекс Хирша | 169 |
| G-индекс | 286 |
| Scopus® | |
|---|---|
| ФТИ в 2000–22 гг. | |
| Статей | 28655 |
| Цитируемость | |
| суммарная | 364193 |
| на статью | 12,7 |
| Индекс Хирша | 180 |
| G-индекс | 304 |
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024
⇤ первая
« предыдущая
…
12
13
14
15
16
17
18
…
следующая »
последняя ⇥
Всего записей: 396
-
Название: Способ формирования многослойного омического контакта к приборам на основе арсенида галлия Патент РФ: #2575977 от 1 февраля 2016 г. Тип: Изобретение Авторы: Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА; Андреев,ВМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА; Андреев,ВМ Подразделения: - лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaSb Патент РФ: #2575972 от 1 февраля 2016 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА; Потапович,НС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА; Потапович,НС Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента Патент РФ: #2575974 от 1 февраля 2016 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Лебедева,НД Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Композиционный материал, поглощающий излучение в ближней ИК области спектра Патент РФ: #2561123 от 28 июля 2015 г. Тип: Изобретение Авторы: Глазов,АЛ; Гук,ЕГ; Ляшков,АИ; Подласкин,БГ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Глазов,АЛ; Гук,ЕГ; Ляшков,АИ; Подласкин,БГ Подразделения: - лаб. оптоэлектроники и голографии (Муратикова,КЛ)
- лаб. физики прочности (Кадомцева,АГ)
-
Название: Способ учета активности солнца в среднесрочных прогнозах погодно-климатических характеристик Патент РФ: #2551301 от 17 апреля 2015 г. Тип: Изобретение Авторы: Авакян,СВ; Баранова,ЛА Правообладатели: Авторы Авторы - сотрудники ФТИ: Баранова,ЛА Подразделения: - лаб. процессов атомных столкновений (Афанасьева,ВИ)
-
Название: Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs Патент РФ: #2547004 от 5 марта 2015 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Хвостикова,ОА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Способ рентгеноспектрального определения размеров наночастиц в образце Патент РФ: #2548601 от 23 марта 2015 г. Тип: Изобретение Авторы: Бойко,МЕ; Шарков,МД; Бойко,АМ; Бобыль,АВ; Теруков,ЕИ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Бойко,МЕ; Шарков,МД; Бойко,АМ; Бобыль,АВ; Теруков,ЕИ Подразделения: - лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
- сектор теоретических основ микроэлектроники (Зегри,ГГ)
- лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
-
Название: Устройство контроля и управления литий-ионной аккумуляторной батареи Патент РФ: #130455 от 20 июля 2013 г. Тип: Полезная модель Авторы: Жданов,ВВ; Рыкованов,АС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Жданов,ВВ; Рыкованов,АС Подразделения: - лаб. литий-ионной технологии (Жданова,ВВ)
-
Название: Устройство контроля и управления литий-ионной аккумуляторной батареи Патент РФ: #142225 от 20 мая 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Жданов,ВВ; Рыкованов,АС Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Жданов,ВВ; Рыкованов,АС Подразделения: - лаб. литий-ионной технологии (Жданова,ВВ)
-
Название: Активный материал для мазера с оптической накачкой и мазер с оптической накачкой Патент РФ: #2523744 от 28 мая 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Солтамова,АА; Солтамов,ВА; Бундакова,АП Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Бундакова,АП Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
-
Название: Инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением Патент РФ: #2540233 от 16 декабря 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Слипченко,СО; Тарасов,ИС; Пихтин,НА; Подоскин,АА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Слипченко,СО; Пихтин,НА; Подоскин,АА Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
-
Название: Многопереходный солнечный элемент Патент РФ: #2539102 от 26 ноября 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА Подразделения: - лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока Патент РФ: #11532 от 20 августа 2013 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Воронков,ВБ Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Воронков,ВБ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Мощный полупроводниковый биполярный переключающий прибор Патент РФ: #136924 от 20 января 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ; Гусин,ДВ; Костина,ЛС; Рожков,АВ Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Рожков,АВ Подразделения: - лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Мощный полупроводниковый импульсный тиристор Патент РФ: #148671 от 12 ноября 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Грехов,ИВ; Коротков,СВ Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Коротков,СВ Подразделения: - лаб. прикладных проблем сильноточной электроники (Короткова,СВ)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Интегрированный Шотки-pn диод на основе карбида кремния Патент РФ: #2390880 от 27 мая 2010 г. Тип: Изобретение Авторы: Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Правообладатели: Мегаимпульс Авторы - сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД Подразделения: - лаб. физико-химических свойств полупроводников (Терукова,ЕИ)
- лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)
-
Название: Способ определения угла разориентированности кристаллитов алмаза в композите алмаза Патент РФ: #2522596 от 21 мая 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Солтамова,АА; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Вуль,АЯ; Кидалов,СВ; Шахов,ФМ Подразделения: - лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
- лаб. физики кластерных структур (Дидейкина,АТ)
-
Название: Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN Патент РФ: #2523105 от 13 марта 2013 г. Тип: Изобретение Авторы: Левинштейн,МЕ; Шабунина,ЕИ; Шмидт,НМ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: -
Название: Способ изготовления каскадных солнечных элементов на основе полупроводниковой структуры GaInP/GaInAs/Ge Патент РФ: #2528277 от 17 июля 2014 г. Тип: Изобретение Авторы: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Калюжный,НА Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Калюжный,НА Подразделения: - лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
- лаб. фотоэлектрических преобразователей (Шварца,МЗ)
-
Название: Электростатический спектрограф для заряженных частиц Патент РФ: #140365 от 8 апреля 2014 г. Тип: Полезная модель Авторы: Фишкова,ТЯ Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН Авторы - сотрудники ФТИ: Подразделения: - лаб. процессов атомных столкновений (Афанасьева,ВИ)
⇤ первая
« предыдущая
…
12
13
14
15
16
17
18
…
следующая »
последняя ⇥