Web of Science®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей 25425
Цитируемость
суммарная 326761
на статью 12,9
Индекс Хирша 169
G-индекс 286
Scopus®
ФТИ в 2000–22 гг.
Статей 28655
Цитируемость
суммарная 364193
на статью 12,7
Индекс Хирша 180
G-индекс 304

Р.А. Сурис
Академик РАН
Р.А. Сурис
1936-2024

Основные результаты

Журналы

Предстоящие защиты диссертаций

Минобрнауки

Наука и университеты

Наука и университеты

Десятилетие науки и технологий

Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU

⇤ первая « предыдущая … 17 18 19 20
Всего записей: 396
  • Название:Многослойный фотопреобразователь
    Патент РФ:#2364007 от 10 августа 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb
    Патент РФ:#2368033 от 20 сентября 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Берковиц,ВЛ; Куницына,ЕВ; Львова,ТВ; Улин,ВП; Яковлев,ЮП
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры
    Патент РФ:#2354009 от 27 апреля 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Способ получения структуры многослойного фотоэлектрического преобразователя
    Патент РФ:#2366035 от 27 августа 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей
    Патент РФ:#2368038 от 20 сентября 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
    Подразделения:
  • Название:Фотонно-кристаллическая структура для управления потоком электромагнитного излучения с заданными длинами волн
    Патент РФ:#85688 от 30 октября 2008 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Барышев,АВ; Лимонов,МФ; Рыбин,МВ; Самусев,КБ
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Лимонов,МФ; Рыбин,МВ; Самусев,КБ
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя
    Патент РФ:#2354008 от 27 апреля 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
    Подразделения:
  • Название:Способ подавления шума канала связи при передаче сигнала двумерного изображения
    Патент РФ:#2350021 от 20 марта 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА
    Правообладатели:ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА
    Подразделения:
  • Название:Способ выращивания многослойной структуры на основе InGaN посредством плазменного МВЕ
    Патент РФ:#2344509 от 20 января 2009 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Ким,БумДзоон; Коике,Масайоси; Ким,МинХо; Иванов,СВ; Жмерик,ВН
    Правообладатели:САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR), ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН (RU)
    Авторы - сотрудники ФТИ:Иванов,СВ; Жмерик,ВН
    Подразделения:
  • Название:Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления.
    Патент РФ:#2326993 от 20 июня 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Парк,ХееСеок; Жиляев,ЮВ; Бессолов,ВН
    Правообладатели:САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД, (KR), ФТИ им.Иоффе РАН (RU)
    Авторы - сотрудники ФТИ:Бессолов,ВН
    Подразделения:
  • Название:Запираемый тиристор и способ его работы
    Патент РФ:#2335824 от 10 октября 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Грехов,ИВ
    Правообладатели:ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Грехов,ИВ
    Подразделения:
  • Название:Устройство для определения положения объекта
    Патент РФ:#75733 от 20 августа 2008 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Гук,ЕГ; Подласкин,БГ; Васильев,АВ
    Правообладатели:ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Гук,ЕГ; Подласкин,БГ
    Подразделения:
  • Название:Устройство для получения потока плазмы
    Патент РФ:#2330393 от 27 июля 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Воронин,АВ
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:
    Подразделения:
  • Название:Способ очистки наноалмазов
    Патент РФ:#2322389 от 20 апреля 2008 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
    Подразделения:
  • Название:Устройство для измерения электрического тока на участке цепи
    Патент РФ:#69312 от 10 декабря 2007 г.
    Тип:Полезная модель
    Авторы:Щербаков,ИП; Самуйлов,СД
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Щербаков,ИП; Самуйлов,СД
    Подразделения:
  • Название:Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений А3В5 методом жидкофазной эпитаксии
    Патент РФ:#2297690 от 20 апреля 2007 г.
    Тип:Изобретение
    Авторы:Солдатенков,ФЮ
    Правообладатели:ФТИ им.Иоффе РАН
    Авторы - сотрудники ФТИ:Солдатенков,ФЮ
    Подразделения:
⇤ первая « предыдущая … 17 18 19 20