Название:Разработка технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов с наносекундным временем переключения
Грантодатель:Гранты РНФ
Область знаний:11-200 - Производство полупроводниковых приборов
Научная дисциплина:11-211 - Технологии (технологические маршруты) изготовления полупроводниковых приборов
Ключевые слова:Мощные полупроводниковые приборы с наносекундным временем переключения
Тип:ориентированные
Руководитель(и):Коротков,СВ
Подразделения:
Код проекта:23-91-06100
Основной задачей НИР является модификация конструкции и технологии производства разработанных в организации-Исполнителе базовых полупроводниковых приборов с наносекундным временем переключения (ДДРВ и ДУИ), направленная на повышение их коммутационных характеристик и рабочего ресурса, а также на уменьшение разброса коммутационных характеристик. Актуальность НИР определяется высокой значимостью создания высоковольтных полупроводниковых приборов с наносекундным временем переключения и малыми коммутационными потерями энергии для лазерной и ускорительной техники, медицины и многих областей экспериментальной физики, а также для различных промышленных технологий, таких как очистка воздуха и воды, плазмохимия, активация и очистка поверхности, стерилизация жидких пищевых продуктов, экологически чистой и ресурсосберегающей энергетики, и для ряда специальных применений, таких как локационная техника и системы радиоэлектронного противодействия. Разработанные в организации-Исполнителе базовые ДДРВ и ДУИ обладают коммутационными характеристиками, значительно превосходящими характеристики зарубежных аналогов. Технологический процесс их производства соответствует оборудованию, традиционно используемому на российских предприятиях. Поэтому его внедрение на организации-Заказчике не требуют существенного изменения используемых технологических маршрутов. Для освоения производства ДДРВ и ДУИ требуется незначительная модификация технологических процессов согласно методикам, которые будут разработаны в организации-Исполнителе.