| Название: | Резонансные плазмонные брэгговские структуры |
| Грантодатель: | Гранты РНФ |
| Область знаний: | 02 - Физика и науки о космосе |
| Научная дисциплина: | 02-204- Нано- и микроструктуры |
| Ключевые слова: | плазмонный резонанс, брэгговский резонанс, металло-полупроводниковые наноструктуры |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Чалдышев,ВВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 24-22-20012 |
Развитие систем связи и обработки информации на основе современной электроники, оптоэлектроники и фотоники ограничивается скоростью движения носителей и временем релаксации электронных возбуждений в полупроводниках. Данный проект направлен на изучение резонансного взаимодействия света с веществом в металло-полупроводниковых композиционных структурах c ультракоротким (фемтосекундным) временем релаксации. Объекты исследования представляют собой периодические системы плазмонных наночастиц AsSb или Bi, встроенных в объем кристаллической матрицы полупроводника (Al,Ga)As. Новизна исследований состоит в том, что ультракороткие времена релаксации обеспечиваются за счет прямого взаимодействия света с системой
локализованных плазмонных возбуждений в спектральном окне прозрачности полупроводниковой матрицы. Будут изучены периодические системы квазидвумерных слоев нановключений, обеспечивающие брэгговский резонанс в полосе частот плазмонного резонанса. Резонансный отклик периодической системы плазмонных наночастиц будет реализован в спектральном окне прозрачности полупроводниковой матрицы. Будут исследованы линейные и нелинейные оптические и электрооптические свойства таких систем. Будут разработаны модели, позволяющих количественно описать оптические свойства композиционных металло-полупроводниковых материалов и резонансных плазмонных брэгговских структур. Модели будут верифицированы путем сравнения с экспериментом. Будут определены параметры коллективного взаимодействия систем локализованных плазмонов со светом и их зависимости от химического состава полупроводниковой матрицы (Al,Ga)As и физико-химических параметров нановключений.
