| Название: | Исследование резонансных спиновых явлений в полупроводниковых низкоразмерных структурах: одиночных квантовых точках и их ансамблях, сверхрешетках, одиночных дефектах. |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - Физика и науки о космосе |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники; 02-205 Нано- и микроструктуры; 02-208 Магнитные явления |
| Время действия проекта: | 2004-2006 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Баранов,ПГ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 04-02-17632 |
| Финансирование 2004 г.: | 220 000 |
| Финансирование 2005 г.: | 220 000 |
| Финансирование 2006 г.: | 220 000 |
| Исполнители: |
Бабунц,РА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
Ветров,ВА: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
Ильин,ИВ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
Преображенский,ВЛ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
Романов,НГ: лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Бабунца,РА)
|
Проект предполагает проведение комплексных исследований спиновых явлений в широком классе наноструктур, включая одиночные квантовые точки и одиночные дефекты, с использованием самых современных методов радиоспектроскопии и микроволново-оптической спектроскопии, основанных на спиново-зависимых процессах в веществе. Будут исследованы наноструктуры, изготовленные на основе соединений A3B5 (GaAs/AlGaAs, GaN/AlN, InAs/GaAs, InGaAsN/GaAs), A2B6 (ZnO), SiC , и A1B7 (AgCl/KCl, AgBr/KBr). В результате самоорганизованного роста создавались квантовые точки InAs/GaAs, AgCl в KCl, AgBr в KBr, а также квантовые точки в виде включений кубического политипа 3C-SiC в кристаллы 4H- 6H-SiC. Будут проведены исследования по идентификации носителей в наноструктурах, определению их g-факторов и эффективных масс, изучено воздействие эффектов конфайнмента на носители и экситоны, электронную структуру доноров и акцепторов, дефекты и рекомбинационные процессы с использованием методов микроволново-оптической спектроскопии, включая ряд оригинальных методов развитых авторами проекта: оптически детектируемый циклотронный резонанс, оптически детектируемый магнитный резонанс и спектроскопия антипересечения уровней, многоквантовая ОДМР спектроскопия, регистрация электронного парамагнитного резонанса по микроволновой проводимости. Эти методы обеспечивают энергетическое разрешение вплоть до нано-эВ и являются наиболее прямыми методами исследования микроструктуры дефектов и возбуждений в наноструктурах. В рамках проекта предполагается исследование динамической поляризации ядер в наноструктурах, индуцированной сверхтонкими взаимодействиями в системе дефектов с мелкими уровнями. Экспериментально и теоретически будут рассмотрены возможности детектирования люминесценции и магнитного резонанса в одиночной квантовой точке ZnO, а также в одиночном дефекте (single defect) типа нейтральной вакансии кремния в SiC в триплетном основном состоянии которого создается неравновесная спиновая поляризация в процессе оптической накачки в области узких беcфононных линий.
