Название:	Обменное взаимодействие и спин-зависимые явления в объемных и двумерных магниторазбавленных полупроводниках и сверхрешетках полупроводник - ферромагнетик
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-20 Полупроводники
Ключевые слова:	магиторазбавленные полупроводники, сверхрешетки, обменное взаимодействие, люминесценция, рамановское рассеяние света.
Время действия проекта:	2006-2008
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Сапега,ВФ
Подразделения:
Код проекта:	06-02-16245
Финансирование 2006 г.:	0
Финансирование 2007 г.:	0
Финансирование 2008 г.:	0
Исполнители:	Акимов,ИА Мирлин,ДН Решина,ИИ Седова,ИВ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Сорокин,СВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)

Основной целью проекта является всестороннее исследование механизмов обменного взаимодействия и спин-зависимых явлений в магниторазбавленных полупроводниках (МРП) A$_3$B$_5$ и A$_2$B$_6$ и их наноразмерных структурах. Прежде всего, предполагается изучить механизмы обменного взаимодействия, приводящие к ферромагнетизму в новом МРП GaMnAs. С этой целью будут исследована роль дырок валентной зоны и различных электронных состояний иона Mn в установлении ферромагнитного порядка в GaMnAs. Особое внимание будет уделено исследованию спин-зависимых явлений в сверхрешетках с магнитными барьерами в новых сверхрешетках полупроводник-ферромагнетик GaAs/MnAs, сверхрешетках с ферромагнитными квантовыми ямами и немагнитными барьерами (GaMn)As/AlAs. Предполагается исследовать спиновую поляризацию носителей заряда в слоях GaAs, индуцированную спонтанной намагниченностью ферромагнитных барьеров MnAs и её зависимость от магнитного поля и расстояния между слоями ферромагнетика. В перспективных структурах с квантовыми ямами CdSe(Mn)/CdMg(Mn)Se, будет исследовано спин-зависимое туннелирование носителей заряда через \"магнитный\" барьер. Проектом предусмотрено также исследование спин-зависимого фототока в $p-i-n$-диодной структуре с МРП. Для решения поставленных задач предполагается использовать развитые нами методы исследования МРП с помощью поляризованной люминесценции горячих электронов (Phys. Rev. Lett., {\\bf94}, 137401 (2005)) и рамановского рассеяния света (Phys.Rev. B, {\\bf66}, 075217 (2002)). Перечисленные выше исследования позволят оценить перспективы использования данных материалов и структур в элементах электроники, работа которых основана на спин-зависимых явлениях.