Название:	Механика дефектов в cлоистых наногетероструктурах на основе III-нитридов
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	08 - ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ИНЖЕНЕРНЫХ НАУК
Ключевые слова:	нанослой, III-нитриды, механические напряжения, дислокация, нанотрещина
Время действия проекта:	2009-2011
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Романов,АЕ
Подразделения:	сектор теории твердого тела (Романова,АЕ)
Код проекта:	09-08-00854
Финансирование 2009 г.:	380000
Исполнители:	Бугров,ВЕ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Дорогин,ЛМ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Колесникова,АЛ Константинов,ОВ: сектор теории твердого тела (Романова,АЕ) Орлов,ДЮ Чалдышев,ВВ : лаб. физики аморфных полупроводников (Стовпяга,ЕЮ)

Проект нацелен на теоретическое исследование механических свойств полупроводниковых наногетероструктур, получаемых на основе слоев нитридов элементов III группы периодической системы Менделеева: AlN, GaN, InN и их тройных соединений AlxGa1-xN, InyGa1-yN и AlzIn1-zN. Хорошо известно, что указанные III-нитриды служат элементной основой оптоэлектронных полупроводниковых приборов следующего поколения, работающих в видимой и ультрафиолетовой областях спектра электромагнитного излучения. При изготовлении наногетероструктур на основе III-нитридов в них формируются упругие деформации и соответствующие механические напряжения, приводящие в конечном итоге к возникновению разнообразных структурных дефектов, что в свою очередь, сказывается на функциональных свойствах полупроводниковых приборов. В проекте предлагается провести детальный анализ возникающих в III-нитридных наногетероструктурах деформаций с учетом состава и упругой анизотропии слоев и рассмотреть механизмы зарождения дислокаций, V-дефектов и нанотрещин в слоях. Конечная цель проекта заключается в определении критических условий (состава и толщины слоев) для зарождения дислокаций и нанотрещин в наногетероструктурах на основе III-нитридов и формулировке рекомендаций для снижения уровня деградации этих перспективных материалов.