| Название: | Электронные свойства, атомная структура и фазовые переходы на реконструированных поверхностях Si(111), Si(100), GaAs(100) и GaN(0001) при адсорбции металлов |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Приоритетное направление: | 02-204 Поверхность и тонкие пленки |
| Ключевые слова: | поверхность, границы раздела, наноструктуры, полупроводники, адсорбция, электронные свойства, фотоэмиссия, атомно-силовая микроскопия |
| Время действия проекта: | 2001-2003 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Бенеманская,ГВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 01-02-204 |
| Финансирование 2001 г.: | 200000 |
| Исполнители: |
Вихнин,ВС: лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
Франк-Каменецкая,ГЭ
Крыжановский,АК: лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Ровинский,КЕ
|
Исследования поверхности и границ раздела на атомном уровне являются особенно актуальными при современном переходе от микро к наноэлектронике. В проекте атомный уровень достигается выбором методик исследования и использованием адсорбции в субмонослойном режиме в качестве зонда локальных и коллективных взаимодействий, возникающих при формировании ультратонких интерфейсов. Фундаментальные проблемы, такие как природа электронных поверхностных состояний, модификация свойств в процессе формирования интерфейсов, эффекты корреляции электронных и структурных свойств поверхностей и интерфейсов, природа локальных взаимодействий и фазовых переходов в низкоразмерных структурах, являются далекими от решения. Настоящий проект посвящен исследованию поверхностей Si(100), Si(111), GaAs(100), GaN(0001) при адсорбции металлов Cs, Ba и K в субмонослойном режиме; экспериментальному и теоретическому изучению модификации электронных свойств и 2D фазовых переходов типа металл-изолятор, индуцированных адсорбцией. Планируются комплексные исследования с использованием атомно-силовой микроскопии, фотоэмиссионной и Оже-спектроскопии. Целью проекта является определение природы электронного спектра поверхностных состояний ультратонких интерфейсов, корреляции электронных свойств с атомной структурой поверхности; определение работы выхода и ионизационного потенциала; определение характера адсорбционной связи, роли свойств активных оборванных связей и механизмов образования поверхностных наноструктур; установление природы коллективных возбуждений на поверхности, а также в квази-2D и квази-3D кластерах; установление природы поверхностных фазовых переходов типа металл-изолятор и механизмов поверхностной металлизации.
