| Название: | Фотогальванические явления в узкозонных и бесщелевых структурах и материалах. |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 |
| Научная дисциплина: | 02-202 Полупроводники |
| Ключевые слова: | фотогальванические явления, электронный транспорт, спин |
| Время действия проекта: | 2013 - 201 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Бельков,ВВ |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 13-02-01431 |
| Финансирование 2013 г.: | 630000 |
| Исполнители: |
Берегулин,ЕВ: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Будкин,ГВ: сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле (Тарасенко,СА)
Вайнштейн,ЮС: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
Ельцина,ОС
Емельянов,СА : лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ)
|
Проект посвящен фундаментальным исследованиям механизмов фотогальванических явлений в узкозонных полупроводниковых структурах, топологических изоляторах и графене, а также использованию этих явлений для анализа электронных спектров данных материалов. В рамках проекта предполагается провести исследование спинового и электронного транспорта в наноструктурах. Особое внимание будет уделено изучению генерации и детектирования спиновых фототоков. Предполагается изучение спин-зависимых фотогальванических эффектов в узкозонных InSb/AlInSb и HgTe/CdHgTe структурах. Особый интерес представляют HgTe квантовые ямы критической ширины, для которых характерен линейный энергетический спектр. Детальное исследование магнитоиндуцированного ФГЭ в InSb/AlInSb наноструктурах позволит определить особенности процесса оптической ориентации при внутриподзонном возбуждении в узкозонных материалах с высокой электронной подвижностью. Будет также проведен анализ фототоков на поверхности объемных топологических изоляторов (сульфид и селенид висмута). Важно отметить, что по симметрийным соображениям в этих материалах фототоки могут генерироваться лишь в поверхностных слоях, для которых характерен линейный энергетический спектр. Еще одной системой с линейным спектром является графен. Это предоставляет широкие возможности для наблюдения и исследования новых оптоэлектронных явлений в этом материале в терагерцовой области спектра. Предполагается также выполнить феноменологическое описание и развить микроскопические модели изучаемых эффектов. Будет проведен анализ электронного и спинового транспорта в исследуемых наноструктурах.
