Название:	Физические и технологические аспекты локализации носителей в наногетероструктурах на основе широкозонных нитридных соединений
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	02-204 Поверхность и тонкие пленки 02-205 Нано- и микроструктуры
Ключевые слова:	молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводниковые гетероструктуры, широкозонные полупроводники, локализация носителей, излучательная рекомбинация, дислокации, фазовый распад
Время действия проекта:	2009-2011
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Копьев,ПС
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Код проекта:	09-02-01397
Финансирование 2009 г.:	700000
Исполнители:	Беляев,КГ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Будза,АА Жмерик,ВН: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Кайбышев,ВХ Мизеров,АМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Плотников,ДС: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Седова,ИВ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)

Проект посвящен исследованиям особенностей роста соединений и наноструктур в системе (AlGaIn)N в широком диапазоне содержания Al и In методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменной активацией. Основное внимание будет уделено структурам на основе Al-содержащих соединений с высоким содержанием Al (>30%), излучающих в области глубокого ультрафиолета (от 360 до 210 нм). Кроме того, будут подробно исследоваться In-содержащие соединения и структуры с высоким содержанием In (>20%), которые предназначены для работы в оранжево-красной области спектра (>500 нм). Будет проанализирована сложная дефектная структура, включающая точечные дефекты и неоднородное пространственное распределение атомов Al и In, а также различные типы пространственных дефектов - прорастающие дислокации, инверсные домены, планарные и объемные (кластерные) области с изменением кристаллографической фазы или состава по отношению к бездефектным областям. и их влияние на оптические свойства. Планируется проведение исследования взаимосвязи оптических свойств и эффектов локализации носителей. Основное внимание в технологических исследованиях будет уделено неравновесным поверхностным процессам формирования наногетероструктур при использовании оригинального метода субмонослойной дискретной эпитаксии. В результате комплексного подхода с использованием различных экспериментальных методов и математического моделирования должны быть определены подходы к созданию наногетероструктур на основе полупроводниковых соединений нитридов III-группы с высокой эффективностью излучательной рекомбинации в глубокой ультрафиолетовой и красно-оранжевой области спектра.