| Название: | Пространственно-упорядоченные массивы самоорганизованных полупроводниковых квантовых точек для наноэлектроники и нанофотоники |
| Грантодатель: | РФФИ |
| Область знаний: | 02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ |
| Научная дисциплина: | РФФИ 10-02-00852 Локальная трибоэлектризация поверхности эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов |
| Ключевые слова: | полупроводники, самоорганизованные квантовые точки, источники фотонов |
| Время действия проекта: | 2011- 2012 |
| Тип: | исследовательский |
| Руководитель(и): | Брунков,ПН |
| Подразделения: | |
| Код проекта: | 11-02-12215 |
| Финансирование 2011 г.: | 1800000 |
| Исполнители: |
Вальковский,ГА: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Гончаров,ВВ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Гордеев,НЮ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
Нащекин,АВ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Рожанский,ИВ: сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)
Ронжин,ОИ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Рудинский,МЭ: лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)
Румянцев,ОИ : лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА)
|
Проект направлен на исследование и разработку физических принципов и методов, позволяющих создавать упорядоченные двумерные решетки (пространственно упорядоченные массивы) из самоорганизованных полупроводниковых квантовых точек, обладающих высокими структурными качествами. В ходе выполнения проекта будет разработана оригинальная технология формирования пространственно-упорядоченного массива самоорганизованных квантовых точек в активной области полупроводниковых приборов для наноэлектроники и нанофотоники. Для этого предполагается сочетать локальное анодное оксидирование поверхности, в результате которого создается массив углублений нанометрового масштаба, и обнаруженную в ходе исследовательского проекта РФФИ ? 10-02-00852 модификацию поверхностного потенциала, с помощью которого можно локально управлять поверхностной плотностью квантовых точек и морфологией эпитаксиальных слоев. Планируемые исследования будут основаны на комплексном подходе, использующем современные методы анализа и модификации на атомном уровне поверхности полупроводниковых кристаллов, теоретические модели и методы эпитаксиального роста полупроводниковых структур, в том числе, нанометрового размера. Планируемые новые подходы позволяют ожидать создания пространственно-упорядоченных квантовых точек, обладающих высоким кристаллическим качеством. Авторы проекта рассчитывают превзойти по этим результатам мировой уровень.
