Название:	Пространственно-одномодовые температурно-стабильные быстродействующие вертикально-излучающие лазеры на основе субмонослойных вертикально-связанных квантовых точек в системе материалов AlInGaAs
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	09-02-00848-а, Теоретическое и экспериментальное исследование диссипативных солитонов в вертикально-излучающих полупроводниковых лазерах с насыщающимся поглотителем на квантовых точках
Ключевые слова:	наногетероструктуры, субмонослойные квантовые точки, вертикально-излучающие лазеры, оптические моды, температурная стабильность, частота модуляции
Время действия проекта:	2011 - 201
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Устинов,ВМ
Подразделения:	лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Код проекта:	11-02-12239
Финансирование 2011 г.:	2000000
Исполнители:	Блохин,СА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Задиранов,ЮМ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Карачинский,ЛЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Кузьменков,АГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Кулагина,ММ: лаб. полупроводниковой квантовой электроники (Маркова,ЛК) Малеев,НА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Надточий,АМ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Соколовский,ГС: лаб. интегральной оптики на гетероструктурах (Соколовского,ГС) Тихомиров,ВГ : лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)

Проект направлен на решение фундаментальной проблемы исследования оптических и электрофизических характеристик нового типа полупроводниковых наногетероструктур на основе субмонослойных вертикально-связанных квантовых точек в системе материалов AlInGaAs и возможности создания на их основе пространственно-одномодовых температурно-стабильных быстродействующих вертикально-излучающих лазеров спектральных диапазонов 850/980 нм. В рамках настоящего проекта предполагается решение нескольких взаимосвязанных задач: 1) Исследования оптических и электрофизических характеристик полупроводниковых наногетероструктур на основе субмонослойных вертикально-связанных квантовых точек в системе материалов AlInGaAs в широком диапазоне температур 2) Теоретическое и экспериментальное исследование способов обеспечения стабильной пространственно-одномодовой генерации в структурах вертикально-излучающих лазеров с оптическими микрорезонаторами сложной конструкции, содержащими несколько селективно-окисленных слоев токовых апертур и внутрирезонаторные контактные слои 3) Теоретический анализ и экспериментальные исследования тепловых характеристик вертикально-излучающих лазеров с оптическими микрорезонаторами сложной конструкции 4) Исследование путей обеспечения высокой резонансной частоты вертикально-излучающих лазеров за счет увеличения дифференциального оптического усиления активной области, минимизации паразитных емкостей и сопротивлений, а также уменьшения влияния эффекта саморазогрева 5) Экспериментальная реализация пространственно-одномодовых температурно-стабильных быстродействующих вертикально-излучающих лазеров, исследование их статических и динамических характеристик в широком диапазоне температур. По результатам проекта планируется расширить понимание физических процессов, определяющих характеристики вертикально-излучающих лазеров с активными областями на основе субмонослойных вертикально-связанных квантовых точек в системе материалов AlInGaAs, а также заложить основы для разработки и создания перспективных источников лазерного излучения для высокопроизводительных внутрисистемных волоконно-оптических линий передачи данных.