Название:	Полупроводниковые наногетероструктуры на основе вертикально-связанных InGaAs квантовых точек для поляризационно-стабильных быстродействующих вертикально-излучающих лазеров
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ
Научная дисциплина:	09-02-00848-а, Теоретическое и экспериментальное исследование диссипативных солитонов в вертикально-излучающих полупроводниковых лазерах с насыщающимся поглотителем на квантовых точках FP7-ICT-2007-2-224211, Проект 7й рамочной программы Европейского сообще
Ключевые слова:	квантовые точки, наногетероструктуры, вертикально-излучающие лазеры, поляризация, усиление, частота модуляции
Время действия проекта:	2009- 2010
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Устинов,ВМ
Подразделения:	лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ)
Код проекта:	09-02-12411
Финансирование 2009 г.:	2000000
Исполнители:	Блохин,СА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Васильев,АП: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Гладышев,АГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Карачинский,ЛЯ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Усикова,АА) Кузьменков,АГ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Малеев,НА: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Надточий,АМ: лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Цацульникова,АФ) Неведомский,ВН : лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники (Брункова,ПН)

Проект направлен на создание активной области нового типа на основе субмонослойных вертикально-связанных InGaAs квантовых точек, необходимой для реализации поляризационно-стабильных и быстродействующих вертикально-излучающих лазеров спектральных диапазонов 850/980 нм. Для достижения поставленной цели в рамках настоящего проекта предполагается решение двух взаимосвязанных задач: 1) Поиск путей увеличения оптической анизотропии и дифференциального усиления для активных областей на основе квантово-размерных InGaAs гетероструктур, излучающих в спектральных диапазонах 850/980 нм. Будут изучены механизмы формирования структурной анизотропии в наногетероструктурах в режиме вертикального связывания и/или при субмонослойного осаждении. Будет исследована модификации зонной структуры субмонослойных InGaAs наногетероструктур в случае вертикального электронного связывания. Будет проведен анализ материального усиления и поляризационных свойств оптического излучения синтезированных квантово-размерных InGaAs гетероструктур. 2) Поиск путей повышения быстродействия вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 850/980 нм на основе массивов InGaAs квантовых точек. Будет разработана самосогласованная модель вертикально-излучающего лазера и проведено численное моделирование с целью комплексной оптимизации эпитаксиальной структуры ВИЛ с учетом особенностей разрабатываемой активной области. Будут исследованы статические и динамические характеристики, а также поляризационные свойства излучения экспериментальных образцов 850/980нм ВИЛ-диодов. По результатам проекта планируется, как существенно расширить понимание физических процессов формирования оптической анизотропии и механизмов генерации/усиления света в наногетероструктурах с вертикально-связанными квантовыми точками, так и заложить основы для разработки и создания уникальных инжекционных источников излучения в ближнем инфракрасном диапазоне на основе массивов самоорганизованных квантовых точек, перспективных для применения в оптических датчиках перемещения и цифровых оптоволоконных линиях связи нового поколения.