Transistors based on two-dimensional materials for future integrated circuits
2021 , Nat. Electron., v.4, 11
ISSN: 2520-1131

Страницы: 786 - 799
Авторы:Das,S; Sebastian,A; Pop,E; McClellan,CJ; Franklin,AD; Grasser,T; Knobloch,T; Illarionov,Yu; Penumatcha,AV; Appenzeller,J; Chen,Z; Zhu,W; Asselberghs,I; Li,LJ; Avci,UE; Bhat,N; Anthopoulos,TD; Singh,R
Авторы (ФТИ):Illarionov,YuYu
Подразделения:
DOI:http://dx.doi.org/10.1038/s41928-021-00670-1 Scopus® times cited:602 Scopus® ID:2-s2.0-85119823254 Web of Science® times cited:546 Web of Science® ID:WOS:000722632000008
Полный текст:http://dx.doi.org/10.1038/s41928-021-00670-1