⇤ первая
« предыдущая
1
2
3
Всего записей: 45
-
Издание: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe Редакторы: M.E.Levinshtein, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur Издатель: JOHN WILEY & SONS LTD Год: 2001 Страниц: 216 ISBN: 978-0-471-35827-5 -
Издание: 9th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology Редактор: R.Suris Издатель: IoP Publishing Год: 2001 Страниц: 235 ISSN: 0957-4484 (print), 1361-6528 (online) -
Издание: Вопросы математической физики и прикладной математики. К 100-летию Г.А.Гринберга Редакторы-составители: Э.А.Тропп, Е.В.Галактионов Издатель: ФТИ им.Иоффе РАН, СПб Год: 2001 Страниц: 288 ISBN: 5-93634-004-X -
Издание: Термоэлектрики и их применения. Доклады VII Межгосударственного семинара (ноябрь 2000 г.) Редакторы: В.А.Кутасов, Л.Н.Лукьянова, А.Т.Бурков, А.Ю.Зюзин, Ю.В.Иванов Издатель: ФТИ им.Иоффе РАН, СПб Год: 2000 Страниц: 498 ISBN: 5-86763-039-0 -
Издание: Molecular Materials. Fullerenes and Atomic Clusters Редакторы: V.V.Lemanov, A.Ya.Vul Издатель: Gordon and Breach Publishers Год: 1999 Страниц: 402 ISSN: 1058-7276
⇤ первая
« предыдущая
1
2
3